Inhoudsopgave
Bipolare transistoren zijn onderdelen waarmee we signalen kunnen versterken. Tevens kunnen ze gebruikt worden als schakelaar. Er zijn twee typen: NPN en PNP. Onderstaande afbeelding toont een voorbeeld.
Een bipolaire transistor heeft drie aansluitingen: Basis, Collector and Emitter. In geval van een NPN-transistor, veroorzaakt een lage stroom van B naar E (IB) een grote stroom van C naar E (IC). De verhouding IC/IB wordt de stroomversterking genoemd, symbool hFE.
Binnenin de transistor bevindt zich een diode tussen B en E en tussen B en C, dus UBE,max en UBC,max zijn ongeveer 0.6V tot 0.7V.
Laten we veronderstellen dat RB = 1M, RL = 1k, US = 9V, hFE = 300 en UBE = 0.6V.
De spanning over RB is US-UBE=8.4V, dus IB=8.4/1M=8.4μA. IC=IB∙hFE=8.4μA∙300=2.52mA. De spanning over RL zal dus 2.52V zijn.