Inhoudsopgave
Zoals we al hebben gezien in een van de lessen, staat de afkorting FET voor Field Effect Transistor; MOS staat voor Metal Oxide Silicon.
Er zijn enhancement- en depletion-MOSFET's. Elk type is beschikbaar in de smaken N-kanaal en P-kanaal. In totaal zijn er dus vier typen MOSFET's beschikbaar:
JFET's en MOSFET's vertonen veel overeenkomsten:
Beide hebben een zeer hoge ingangsweerstand.
Beide hebben drie aansluitingen: Drain, Gate en Source. Sommmige MOSFET's hebben een extra Bulk-aansluiting.
Beide kunnen zich als een spanningsgestuurde stroombron gedragen; de stroombron tussen Drain en Source wordt gestuurd door de spanning tussen Gate en Source. De verhouding dID/dUGS steilheid of admittantie genoemd, symbool yfs.
Beide kunnen zich ook als een spanningsgestuurde weerstand gedragen; UGD moet dan tussen 0V en de afknijpspanning liggen.
JFET's en depletion-MOSFET's hebben zelfs nog meer eigenschappen gemeen:
Bij UGS=0V, is het D-S-kanaal geleidend. (Enhancement-MOSFET's hebben een bepaalde G-S-spanning nodig voordat er Drainstroom kan lopen.)
Om een N-kanaal te sluiten, moet UGS negatief zijn; een toename van UGS zal ID laten toenemen.
Natuurlijk zijn er ook verschillen tussen JFET's en MOSFET's. Zo zijn MOSFET's geschikt om als schakelaar gebruikt te worden. De kanaalweerstand in de 'aan-stand' is zeer laag, gewoonlijk minder dan 10 ohm. Om een N-kanaal MOSFET aan te zetten, hoeven we alleen maar een bepaalde spanning over de Gate en Source te zetten. Dat lukt niet met een JFET, omdat de UGS van een JFET negatief moet zijn (N-kanaal); wanneer UGS positief is, zal de G-S-diode niet langer in sperrichting staan, en wordt de ingangsweerstand dus drastisch lager!
En hoewel MOSFET's prima geschikt zijn als schakelaar, kunnen we er ook versterkers mee maken.