www.Hobby-Electronics.info

  • Vergroot lettergrootte
  • Standaard lettergrootte
  • Verklein lettergrootte

Binnenin een MOSFET.

Drie lagen P en N samenvoegen.

Net zoals een JFET-transistor, bestaat ook een MOSFET uit drie lagen P- en N-silicium, waarbij een van de lagen het kanaal vormt tusen de Source en de Drain. Een MOSFET ziet er echter wel iets anders uit. Laten we eens kijken hoe een N-kanaal enhancement-MOSFET en van binnen uit ziet:

De twee N-lagen zijn verbonden met de Source en de Drain. De Gate is vebonden met een laagje metaal. Tussen dit metaallaagje en de P-laag zit een zeer dunne laag isolerend materiaal (SiO2). De P-laag is verbonden met de Bulk-aansluiting. In bijna alle gevallen is de Bulk intern verbonden met de Source. Het metalen laagje en de P-laag vormen samen een condensator. Laten we eens wat spanningen op de transistor zetten en kijken wat er gebeurt.

Spanningen aansluiten op een enhancement-MOSFET.

Als UGS=0V, dan is het D-S-kanaal gesloten, omdat er altijd een gesperde PN-overgang is.

Als UGS>0V, dan zal het metalen laagje positief geladen worden. Het metalen laagje zal nu elektronen in de P-laag aantrekken. Er vormt zich nu dus een laagje elektronen rondom de Gate.

Door deze laag elektronen lijkt de P-laag bij de Gate wel op een N-laag. Er is dus nu een kanaal vrije elektronen tussen de Source en de Drain waardoor er stroom kan gaan vloeien.

Als UDS klein is, gedraagt het kanaal zich als een weerstand, waarvan de waarde bepaald wordt door UGS. Als UDS iechter toeneemt, zal de 'gate-bulk-condensator' kleiner worden aan de kant van de Drain. Hierdoor wordt het kanaal dunner. Bij een bepaalde afknijpspanning is het kanaal zo dun dat ID constant blijft.

Depletion-MOSFET's.

Depletion-MOSFET's lijken veel op enhancement-MOSFETs:

Let op het dunne N-laagje bij de Gate. Dit betekent dat zelfs als UGS=0V er al een geleidend pad is tussen Drain en Source. Als UGS toeneemt, wordt dit pad breder. Als UGS<0V, dan wordt het kanaal smaller.

U bent bezoeker nummer: